1月25日，《光明日报》刊发《汪之涵：用心打造中国“芯”》一文，报道基本半导体董事长汪之涵博士留学归国，将自己所学和国家发展需要紧密结合，与团队一起攻克“卡脖子”技术难题的创新创业故事。
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青铜剑科技集团及旗下基本半导体、青铜剑技术、青铜剑能源科技、英博国际创新、中欧创新中心等公司负责人出席仪式，共同见证这一重要时刻。
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在高压输电、船舶逆变等应用场合，由于电压很高，系统对分立器件的绝缘性能有更高的要求。现有方案通常采用多层级隔离方案，或者将隔离变压器绝缘做大，这些极大增加了系统复杂程度和设计成本。
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11月6-9日，第四届国际高压直流会议（HVDC2020）在西安顺利举行。青铜剑技术总经理傅俊寅、副总经理陈恒星受邀出席活动。会上，青铜剑技术展示了最新高压大功率门极驱动器产品，并推介磁环取能压接式IGBT驱动技术，受到与会观众热烈关注。
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7月15日，国家知识产权局发布了第二十一届中国专利奖授奖决定，青铜剑的发明专利“一种绝缘栅器件控制方法及其电路”（专利号：ZL200910258615.3）荣获中国专利优秀奖，充分表明公司的技术创新能力得到了政府和社会的高度认可。
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近日，青铜剑技术推出第二代多功能脉冲信号发生器（PSG-06_V2.0）。该设备主要用于IGBT、MOSFET 等功率器件及其驱动器的测试系统，具有脉冲精度高、脉冲模式多样、接口类型丰富、使用便捷等特点，能为产品测试研发提供极大的便利性，是IGBT研究、IGBT驱动及其他电源类产品开发做前期设计验证的理想工具，同时也可用于IGBT功率模组的测试系统，服务于产线。
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