新品推荐 | 更快更强，青铜剑技术发布新一代EconoDUAL™3封装IGBT驱动器

随着新能源发电、新能源汽车等行业的蓬勃发展，市场对功率半导体器件提出了更高的要求。针对EconoDUAL^TM3封装模块的特点，青铜剑技术推出了第二代EconoDUAL^TM3封装高性能即插即用驱动器2QP0225Txx-C。

图1 2QP0225Txx-C实物图

第二代EconoDUAL^TM3封装即插即用驱动器

2QP0225Txx-C是基于青铜剑技术自主研发的第二代ASIC芯片设计的双通道、紧凑型驱动器，可应用在中功率、中压、高可靠性领域，适用于 1700V 及以下电压的EconDUAL^TM3封装 IGBT 、SiC MOSFET模块。其即插即用的特点使得驱动板可直接焊接在EconoDUAL^TM3封装模块上，无需转接处理。

产品优势

单通道驱动功率高达 2W

峰值电流高达 ±25A

开关频率高达200kHz

自适应的软关断功能

兼容EconoDUALTM3封装SiC MOSFET

和上一代产品P2P兼容

单通道驱动功率高达 2W

2QP0225Txx-C驱动器将单通道功率提升至2W，以满足新一代IGBT大门极电荷的功率需求。如下图所示，在满功率情况下，温升小于35K。

图2 单通道2W满载运行温升图（环温25℃）

峰值电流高达 ±25A

驱动器峰值电流提升至25A，满足新一代IGBT模块小门极电阻、高峰值电流的要求。如下图所示，峰值电流可达25A以上。

图3 驱动峰值电流（Rg=0Ω）

开关频率高达200kHz

驱动器最高开关频率提高至200kHz，满足SiC MOSFET快速开关的要求。

图4 最大200kHz工作频率

自适应的软关断功能

驱动器集成了软关断保护功能，可有效抑制短路关断时产生的尖峰电压。驱动器内部门极闭环控制，软关断波形智能调节，当进入退饱和保护时，门极会按照设定下降曲线进行2us时长的软关断，无需再额外增加和调节软关断电阻，极大的方便了客户端调试过程。

图5 驱动自带2us软关断保护功能

兼容EconoDUAL^TM3封装SiC MOSFET

该驱动器在兼容设计中集成了米勒钳位功能，可有效防止门极误开通

支持门极开关电压定制，满足不同碳化硅模块的使用需求

短路保护响应时间在1us~10us内可调，满足不同功率器件的短路耐受时间要求

附：EconoDUAL^TM3封装的第七代IGBT模块介绍

第七代IGBT模块优化了爬电距离以满足1500V光伏需求，过温运行温度提升到175℃，功率密度提升了30%，额定电流由600A提高至750A甚至900A！

图6 英飞凌FF900R12ME7模块

和老一代产品相比，第七代IGBT模块极限开关门极电荷量更大，内部门极电阻更小，要求驱动器可提供更大的功率和更高的峰值电流。