中欧第三代半导体高峰论坛在深圳成功举行

10.31.2017

2017年10月31日，由深圳市科学技术协会指导，南方科技大学、深圳市坪山区人民政府、深圳青铜剑科技股份有限公司共同主办的“中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳五洲宾馆成功举行。活动邀请到来自中国和欧洲从事碳化硅、氮化镓等第三代半导体技术的200多位专家学者和产业界人士出席，是本行业的重量级盛会。

论坛由深圳基本半导体有限公司、深圳市第三代半导体器件重点实验室、深圳中欧创新中心承办，并得到深圳清华大学研究院、力合科创集团、深圳方正微电子有限公司大力支持。

青铜剑科技副总裁

基本半导体总经理和巍巍博士主持会议

深圳市人大常委会副主任、深圳市科学技术协会主席蒋宇扬出席并致欢迎辞，介绍了深圳科技发展的优异成绩以及对第三代半导体产业的扶持，希望广大科技企业与科技工作者紧抓时代脉搏，进一步加大研发投入、加强国际合作，助力第三代半导体产业快速发展。南方科技大学副校长汤涛与瑞典皇家工程科学院副院长Magnus Breidne也分别进行了致辞。

深圳市人大常委会副主任

深圳市科学技术协会主席蒋宇扬致辞

南方科技大学副校长汤涛致辞

瑞典皇家工程科学院副院长Magnus Breidne致辞

瑞典皇家理工学院常务副校长Mikael Östling、瑞典国家研究院通信及微电子研究所所长Peter Björkholm、英国剑桥大学教授Patrick Palmer、南方科技大学教授于洪宇等专家学者分别从各自的研发领域针对碳化硅和氮化镓器件的设计、工艺、应用进行了深入介绍，并探讨了第三代半导体产业的市场机遇和未来发展趋势。

深圳市基本半导体有限公司副总经理张振中博士介绍了目前全球碳化硅功率器件的发展与应用情况，以及自主研发的新型工艺技术实现的全外延结构沟槽JBS二极管，各项指标均达到国际先进水平。

瑞典皇家理工学院常务副校长

Mikael Östling作主题演讲

瑞典国家研究院通信及微电子研究所所长

Peter Björkholm作主题演讲

英国剑桥大学教授Patrick Palmer作主题演讲

基本半导体副总经理张振中作主题演讲

近年来，以碳化硅、氮化镓等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域，被视为支撑能源、交通、信息等产业发展的核心技术，全球市场容量未来将达到百亿美元，已成为美国、欧洲、日本半导体行业的重点研究方向之一。

南方科技大学教授、IET Fellow

于洪宇作主题演讲

2015年5月8日，在印发《中国制造2025》中4次提到以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体功率器件，可见第三代半导体行业在国民经济发展中的重要地位。目前我国在第三代半导体材料研究上一直紧跟世界前沿，是世界上为数不多的碳化硅材料衬底，材料外延产业化的国家。在第三代半导体器件设计和制造工艺方面也在向世界先进水平迈进。

瑞典通信及微电子研究所首席专家

Qin Wang发表主题演讲

瑞典Ascatron AB 首席技术官

Adolf Schöner发表主题演讲

南方科技大学教授刘召军发表主题演讲

中欧第三代半导体高峰论坛在热烈的气氛中落下帷幕，参会行业人士对我国第三代半导体发展充满信心。青铜剑科技副总裁、基本半导体总经理和巍巍博士表示，目前中国的第三代半导体行业已经迎来发展的春天。基本半导体通过整合海内外创新技术、人才与国内产业资源，已全面掌握碳化硅器件的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等各方面技术。在国家政策支持和企业创新驱动背景下，基本半导体现已成为国内发展最快的碳化硅功率器件企业之一。