随着新能源发电、新能源汽车等行业的蓬勃发展,市场对功率半导体器件提出了更高的要求。针对EconoDUALTM3封装模块的特点,青铜剑技术推出了第二代EconoDUALTM3封装高性能即插即用驱动器2QP0225Txx-C。



图1 2QP0225Txx-C实物图


第二代EconoDUALTM3封装即插即用驱动器

2QP0225Txx-C是基于青铜剑技术自主研发的第二代ASIC芯片设计的双通道、紧凑型驱动器,可应用在中功率、中压、高可靠性领域,适用于 1700V 及以下电压的EconDUALTM3封装 IGBT 、SiC MOSFET模块。其即插即用的特点使得驱动板可直接焊接在EconoDUALTM3封装模块上,无需转接处理。


产品优势

单通道驱动功率高达 2W

峰值电流高达 ±25A

开关频率高达200kHz

自适应的软关断功能

兼容EconoDUALTM3封装SiC MOSFET

和上一代产品P2P兼容


单通道驱动功率高达 2W

2QP0225Txx-C驱动器将单通道功率提升至2W,以满足新一代IGBT大门极电荷的功率需求。如下图所示,在满功率情况下,温升小于35K。


图2 单通道2W满载运行温升图(环温25℃)


峰值电流高达 ±25A

驱动器峰值电流提升至25A,满足新一代IGBT模块小门极电阻、高峰值电流的要求。如下图所示,峰值电流可达25A以上。


图3 驱动峰值电流(Rg=0Ω)


开关频率高达200kHz

驱动器最高开关频率提高至200kHz,满足SiC MOSFET快速开关的要求。


图4 最大200kHz工作频率


自适应的软关断功能

驱动器集成了软关断保护功能,可有效抑制短路关断时产生的尖峰电压。驱动器内部门极闭环控制,软关断波形智能调节,当进入退饱和保护时,门极会按照设定下降曲线进行2us时长的软关断,无需再额外增加和调节软关断电阻,极大的方便了客户端调试过程。


图5 驱动自带2us软关断保护功能


兼容EconoDUALTM3封装SiC MOSFET

该驱动器在兼容设计中集成了米勒钳位功能,可有效防止门极误开通

支持门极开关电压定制,满足不同碳化硅模块的使用需求

短路保护响应时间在1us~10us内可调,满足不同功率器件的短路耐受时间要求



附:EconoDUALTM3封装的第七代IGBT模块介绍

第七代IGBT模块优化了爬电距离以满足1500V光伏需求,过温运行温度提升到175℃,功率密度提升了30%,额定电流由600A提高至750A甚至900A!


图6 英飞凌FF900R12ME7模块


和老一代产品相比,第七代IGBT模块极限开关门极电荷量更大,内部门极电阻更小,要求驱动器可提供更大的功率和更高的峰值电流。



FF600R12ME4(4代IGBT)

FF900R12ME7(7代IGBT)

额定电流IF

600A

900A

静态压降VCE sat(Max)

2.1V

1.8V

栅极电荷QG

4.4uC

14.3uC

栅极内阻RGint

1.2Ω

0.5Ω

推荐电阻RGon/RGoff

1.5Ω

0.51Ω

工作温度Tvj_op

-40℃~150℃

-40℃~175℃